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含自由基磁性高分子
一种形成**自旋体系的方法是使**自由基形成一定的有序结构，进而表现出铁磁性。可以设计分子结构，通过氢键使自由基相互连接，得到磁有序状态，**个通过氢键组合自由基形成的**铁磁体是在1994年由Sugawara等合成的。之后，Veciana等也制备了几种类似结构的苯基硝基硝氧基自由基的衍生物，其中一种间位结构的RSNN在0.45k有铁磁性的相转变。
另一种方法是制备成高分子使**自由基稳定并呈现铁磁性有序。从合成**聚合物铁磁体来看，聚二乙炔衍生物要比聚乙炔衍生物更易使其中的自由基稳定和呈现铁磁性。将含有**自由基的单体聚合，通过高分子链的传递作用使自由基中的电子自旋发生耦合，从而表现出宏观的磁性。如Ovchinnikov等在1987年制备的**个**磁性高分子BIPO，单体分子中具有两个可进行聚合反应的三键，以及两个带有pai啶环的亚硝酰稳定的自由基。Ovchinnikov提出了**交换模型，从理论上分析了这种含自由基的高分子的磁性来源。矩形比：Br∕Bs
矫顽力Hc：是表示材料磁化难易程度的量，取决于材料的成分及缺陷（杂质、应力等）。
磁导率μ：是磁滞回线上任何点所对应的B与H的比值，与器件工作状态密切相关。
初始磁导率μi、较大磁导率μm、微分磁导率μd、振幅磁导率μa、有效磁导率μe、脉冲磁导率μp。
居里温度Tc：铁磁物质的磁化强度随温度升高而下降，达到某一温度时，自发磁化消失，转变为顺磁性，该临界温度为居里温度。它确定了磁性器件工作的上限温度。
损耗P：磁滞损耗Ph及涡流损耗Pe P = Ph + Pe = af + bf2+ c Pe ∝ f2 t2 / ，ρ 降低，降低磁滞损耗Ph的方法是降低矫顽力Hc；降低涡流损耗Pe 的方法是减薄磁性材料的厚度t 及提高材料的电阻率ρ。在自由静止空气中磁芯的损耗与磁芯的温升关系为：总功率耗散（mW）/表面积（cm2）
3．软磁材料的磁性参数与器件的电气参数之间的转换
在设计软磁器件时，首先要根据电路的要求确定器件的电压～电流特性。器件的电压～电流特性与磁芯的几何形状及磁化状态密切相关。设计者必须熟悉材料的磁化过程并掌握材料的磁性参数与器件电气参数的转换关系。设计软磁器件通常包括三个步骤：正确选用磁性材料；合理确定磁芯的几何形状及尺寸；根据磁性参数要求，模拟磁芯的工作状态得到相应的电气参数。


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